[besoin d'aide] reglages timing mémoire
reglages timing mémoire [besoin d'aide] - Carte mère - Hardware
Marsh Posté le 25-11-2005 à 10:20:09
Normalement, ça devrait être 2-3-3-6 à 200 MHz.
Que te dis CPU-Z ?
Et tente un règlage manuel à ces timings dans le BIOS.
Marsh Posté le 25-11-2005 à 10:25:48
Je fais dès ce soir en rentrant à la maison et je répondrai.
2-3-3-6 c'est :
CAS Latency (CL) 2T
RAS To CAS Delay (tRCD) 2T
RAS Precharge (tRP) 2T
RAS Active Time (tRAS) 6T
C'est bien ca ?
Marsh Posté le 26-11-2005 à 00:17:44
Voila, je suis passé avec les timing 2-3-3-6
le reste est bon ?
Marsh Posté le 26-11-2005 à 10:38:20
2-3-3-6 ce sont de bons timings
Vérifie quand même à l'aide de Memtest que tes barettes tiennent le coup
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Marsh Posté le 25-11-2005 à 10:08:38
Salut,
je viens de m'acheter ma nouvelle config, et ne m'etant jamais intéressé de pret aux timing mémoire, je me retrouve fort dépourvu puisqu'ayant acheté de la RAM de qualité, je souhaiterai optimiser un peu mes réglages.
Config :
Asus A8N SLI Deluxe
AMD 3800 X2
2* 512 PC3200 Corsair (CMX512-3200C2)
Pour l'instant j'ai tout laissé en auto, voila ce que me donne Everest :
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Corsair CMX512-3200C2
Numéro de série Aucun(e)
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)
North Bridge: AMD Hammer IMC ]
Propriétés du chipset North Bridge:
North Bridge AMD Hammer IMC
Révision 00
In-Order Queue Depth 8
Contrôleur mémoire:
Type Dual Channel (128 bits)
Mode actif Dual Channel (128 bits)
Performances mémoire:
CAS Latency (CL) 2T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 8T
Row Cycle Time (tRC) 12T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 14T
Command Rate (CR) 2T
RAS To RAS Delay (tRRD) 2T
Write Recovery Time (tWR) 3T
Read To Write Delay (tRTW) 5T
Write To Read Delay (tWTR) 2T
Write CAS Latency (tWCL) 1T
Refresh Period (tREF) 200 MHz 7.8 us
DQS Skew Control Désactivé(e)
DRAM Drive Strength Normal
DRAM Data Drive Strength 4 (No Reduction)
Max Async Latency 7 ns
Read Preamble Time 5.5 ns
Idle Cycle Limit 16
Dynamic Idle Cycle Counter Activé
Read/Write Queue Bypass 8
Bypass Max 4
32-byte Granularity Désactivé(e)
quels paramètres dois-je changer ?