[HFR] Actu : Samsung grave la DRAM en 1xnm
Actu : Samsung grave la DRAM en 1xnm [HFR] - HFR - Hardware
Marsh Posté le 05-04-2016 à 18:31:43 1
Ils seront bien emmerdés quand on sera en dessous de 10nm, ils pourront pas dire "classe 0nm".
J'ai du mal à comprendre l'intérêt de ce genre de dénomination qui ne trompera jamais un pro et qui n'a aucune influence pour le client final qui ne sera jamais au courant que Samsung a dit ça ni même de ce que représente le 10nm.
Sinon plutôt bonne nouvelle, surtout que la ram est de nouveau à des tarifs abordables on va pouvoir continuer à progresser en rapport qualité prix.
Marsh Posté le 05-04-2016 à 18:51:05 0
moins de conso + de perf ça c'est bien
les voies du marketing elle sont impénétrables
Marsh Posté le 05-04-2016 à 19:47:52 2
| everwind a écrit : Ils seront bien emmerdés quand on sera en dessous de 10nm, ils pourront pas dire "classe 0nm". |
Ils diront "classe 1nm", c'est pas plus compliqué que ça 
Marsh Posté le 05-04-2016 à 20:16:18 0
- gab a écrit :
|
Ouais mais non parce que après ils seront bloqué pour toujours ou presque, donc comment pouvoir faire passer l'idée de progression ? C'est subtil les dénominations
Marsh Posté le 05-04-2016 à 22:32:34 0
On pourra toujours graver de la même façon (donc utiliser une dénomination similaire) quand on arrivera sous le nm ?
A ce sujet, la réduction de la finesse de gravure pour la RAM ne pose pas de problèmes particuliers ? (comme ce ce qu'on voit pour la NAND par exemple)
Marsh Posté le 06-04-2016 à 19:06:45 0
J'avais lu 1nm xD trop intrigué par l'annonce j'ai été un poil déçu 
Marsh Posté le 07-04-2016 à 19:22:29 0
mmh apparemment y a pas que la finesse de gravure qui change, apparemment la structure des cellules mémoire a aussi changée, ce qui explique le bond assez inhabituel des perf annoncées:
http://www.anandtech.com/show/1022 [...] ocess-tech
| Citation : What we do know is that the new tech stacks very narrow cylinder-shaped capacitors on top of transistors, which implies a new DRAM cell structure (4F2?). Manufacturers of memory have historically changed the structures of DRAM cells every five or six years, and each change represents a major technology challenge as the density changes. Samsung says that it has refined the dielectric layer deposition technology and enabled substantial performance improvements, which may mean that the new memory chips can have a higher clock-rate potential than Samsung’s existing DRAMs, or more units will pass the base tests. If this is the case, if we extrapolate, this may open doors to DDR4 memory modules with unprecedented data rates (e.g., higher than DDR4-4400). |
Message édité par fredo3 le 07-04-2016 à 20:20:24
Marsh Posté le 09-04-2016 à 09:36:52 0
| - gab a écrit : A ce sujet, la réduction de la finesse de gravure pour la RAM ne pose pas de problèmes particuliers ? (comme ce ce qu'on voit pour la NAND par exemple) |
Si bien sûr, pas les mêmes bien sûr. A ce jour il est +/- admis qu'il sera difficile d'aller sous les 16nm pour les DRAM "conventionnelles"
| fredo3 a écrit : mmh apparemment y a pas que la finesse de gravure qui change, apparemment la structure des cellules mémoire a aussi changée, ce qui explique le bond assez inhabituel des perf annoncées: http://www.anandtech.com/show/1022 [...] ocess-tech
|
AMHA pas mal d’interprétation à partir du CP de Samsung (linké ici en source). Sauf erreur de ma part le condensateur cylindrique sur le transistor ce n'est pas nouveau, idem pour la couche de diélectrique. Par contre pour aller de paire avec l'abaissement de la finesse de gravure ils ont du la rendre plus fine sans altérer sa capacité d'isolation. Il faudra attendre un rayon X de la puce ou l'IEDM 2016 en décembre 
Message édité par Marc le 09-04-2016 à 09:37:45
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Marsh Posté le 05-04-2016 à 15:41:40 0
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